reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 26 lutego 2015

FET 80 i 100 V o bardzo niskiej rezystancji

Nowe tranzystory od Infineon zoptymalizowano do pracy z wysokimi częstotliwościami. Małym stratom sprzyja m.in. redukcja rezystancji nawet o 40%, w porównaniu do poprzedniej generacji.
Firma Infineon przedstawiła OptiMOS 5. Są to nowe tranzystory na napięcie 80 i 100 V, które cechują się poprawioną wydajnością, zwłaszcza w aplikacjach takich jak prostowniki synchroniczne, zasilacze, sterowniki solarne, niskonapięciowe, itp.

Tranzystory MOSFET tej grupy zoptymalizowano do pracy z wysokimi częstotliwościami. W porównaniu do poprzedniej generacji, elementy te mogą pochwalić się redukcją rezystancji Rds(ON) o 45 i 24%, odpowiednio dla tranzystorów na napięcie 80 i 100 V.

Zwiększa się dzięki temu gęstość mocy, jaką mogą te tranzystory obsługiwać. Mniejszy jest też ładunek wyjściowy (o 38 i 25% odpowiednio), co także wpływa na straty przy przełączaniu. Redukcja w przypadku ładunku bramki to odpowiednio 24 i 29%. Udało się też zmniejszyć poziom strat przy pracy z bardzo małymi obciążeniami.

OptiMOS 5 dostępne będą w obudowach: SuperSO8, S308, TO-Leadless, TO-220, TO-220 FullPAK, D²PAK oraz D²PAK 7Pin; gdzie wartość Rds(ON) zawierać się będzie w przedziałach 1-4 mΩ, 4-8 mΩ i 8-2 mΩ dla wersji 80V oraz 1-4 mΩ, 4-8 mΩ i 8-10 mΩ dla 100V.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 23 2018 15:48 V9.3.2-1