reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 25 listopada 2014

MOSFET'y DTMOS-IV super-złączowe na 800 V

Nowe tranzystory MOSFET cechuje wysoka wydajność, dzięki redukcji strat EOSS i rezystancji Rds(ON), której wartość ma nie przekraczać 0.3 Ω. Na uwagę zasługują też wysokie wartości maksymalne obsługiwanego napięcia i prądu drenu.

Firma Toshiba Electronics Europe przedstawiła nowe, pierwsze takie tranzystory MOSFET oparte na technologii DTMOS IV (generacji) super-złączowej. Ta wysokonapięciowa technologia pozwoliła tym elementom na pracę z napięciem do 800 V. W porównaniu do technologii procesu epitaksjalnego, technologia „Deep Trench” pozwoliła uzyskać jeszcze niższą wartość rezystancji Rds(ON), także przy wyższych temperaturach. Zmniejszono również straty przy przełączaniu (EOSS). Obie te cechy mocno wpływają na wydajność osiąganą przez tranzystory, a co za tym idzie na efektywność aplikacji, w których będą wykorzystane. Pozwoli to m.in. na zmniejszenie wymiarów zasilaczy, poprzez redukcję systemu chłodzenia. DTMOC IV pozwala także na szybsze przełączanie, dzięki zredukowaniu pojemności pasożytniczych, pomiędzy bramką a drenem. Typowa wartość CISS wynosić ma 1450 pF (przy 300 V i 100 kHz). Maksymalne wartości wynoszą:
  • VDSS = 800 V,
  • VGSS = 30 V,
  • prąd drenu = 17 A,
  • Rds(ON= 0.3 Ω.
TK17A80W dostępne mają być na początek w obudowie TO-220SIS, lecz już niedługo dostępne będą także w obudowie TO-220, DPAK i IPAK.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 25 2019 12:19 V13.2.1-2