reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 29 maja 2014

Wysokonapięciowe MOSFETy SiC do ładowarek

Firma Cree, znana z produkcji diod LED przedstawiła tranzystor MOSFET SiC na napięcie do 1200 V, o wyjątkowo niskiej rezystancji Rds(on), ok. 25 mΩ. Przeznaczony jest do ładowarek EV, wysokonapięciowych konwerterów DC/DC, systemów grzewczych, itd.

Firma Cree wprowadziła na rynek nowy wysokonapięciowy tranzystor MOSFET wykonany w technologii SiC, a konkretniej „C2M SiC MOSFET technology”. Jego przeznaczeniem mają być systemy ładowania pojazdów elektrycznych (EV), konwerterów DC/DC pracujących z wysokim napięciem, systemów grzewczych (indukcyjnych), aplikacji medycznych CT, itd. Oznaczono go symbolem C2M0025120D. Pracować może z napięciem do 1200 V. Jego główną zaletą ma być niska rezystancja Rds(on), która wynosi tutaj 25 mΩ. Tranzystor ten pracować ma głównie w aplikacjach wykorzystujących prąd impulsowy (Id). Jego maksymalna wartość wynieść może nawet 250 A, jak podaje producent. MOSFET'y te można też łączyć szeregowo, dzięki dodatniemu współczynnikowi temperaturowemu. Pozwolić ma to na pracę z jeszcze większymi prądami. Zastosowanie tego tranzystora ma sprawić, że aplikacje będą mniejsze, mniej skomplikowane, lżejsze, a także nawet i tańsze. Bardzo dobra charakterystyka termiczna pozwoli uprościć także system chłodzenia i w niektórych przypadkach pozwoli zrezygnować z wentylatorów. Firma Cree przetestowała swoje tranzystory przy okazji budowy inwertera PV. Udało się osiągnąć współczynnik mocy do wagi na poziomie 1 kW/kg, przy budowie kompaktowego urządzenia tego typu o mocy 50 kW. Producent zapewnia wsparcie także w kwestii narzędzi do pracy z tymi komponentami. Do kupienia są m.in. specjalnie dedykowane sterowniki bramek CRD-001. Jednakże Cree zapewnia, że nie będzie problemu przy współpracy ze sterownikami TI, Avago czy IXYS.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 06 2019 20:55 V14.1.1-1