reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 kwietnia 2014

O 40% mniejsze straty (przy wyłączaniu) w tranzystorach IGBT na 650 V

Firma ST zaprezentowała swoje nowe tranzystory IGBT, które cechuje redukcja strat przy przewodzeniu o 30% w porównaniu do produktów konkurencyjnych, a przy wyłączaniu straty te udało się zmniejszyć nawet o 40%. Inne zalety to m.in. praca w bardzo wysokich temperaturach i niskie napięcie nasycenia.

Firma ST wprowadza na rynek nową serię tranzystorów IGBT przeznaczonych do pracy z napięciem do 650 V. To co je wyróżnia to widoczna redukcja strat. Przy przewodzeniu straty te udało się zmniejszyć o 30%, a przy samym wyłączaniu nawet o 40%. Seria HB cechuje się ponadto niskim napięciem nasycenia (Vce(sat)) wynoszącym (typowo) 1,6 V. Pozwoliło to zredukować straty przy przełączaniu i włączaniu. Dobrze opanowana technologia produkcji pozwala zapewnić odbiorcom powtarzalność parametrów, co z kolei przyczynić się ma to bardziej niezawodnej pracy i uproszczeniu aplikacji wykorzystujących te elementy. W ofercie znajdziemy komponenty mogące pracować z prądem o natężeniu od 30 do 80 A (przy 100 stopniach Celsjusza). Maksymalna temperatura w jakiej mogą one pracować wynosić ma 175 stopni Celsjusza (minimalna to -40). Dobre parametry cieplne pozwalają ograniczyć wielkość radiatorów. Zastosowaniem mają być inwertery solarne, indukcyjne elementy grzewcze i różnego rodzaju zasilacze (przeznaczone do ciągłej, nieprzerywalnej pracy lub z wysokim współczynnikiem mocy, lub wysokoczęstotliwościowymi konwerterami). Dostępne mają być w cenie od 2,14 USD przy zamówieniu 1000 sztuk.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 21 2019 15:49 V14.1.4-2