© Evertiq
Komponenty |
Superzłączowe tranzystory w nieco innym wydaniu
Wczoraj opisywaliśmy tranzystory tego typu od STMicroelectronics. Również firma Infineon wypuszcza swoje wersje MOSFETów w obudowie TO247-4, które cechują się niską rezystancją termiczną i niskim stratami przy przełączaniu.
Firma Infineon opracowywała wspólnie z firmą STMicroelectronics nowy format obudowy oznaczony symbolem TO247-4. Cechuje się zwiększoną ilością wyprowadzeń, co sprzyja poprawie efektywności tranzystora. Dlatego też Infineon także prezentuje swój tranzystor superzłączowy w tej obudowie.
CoolMOS C7 to komponent, cechujący się redukcją strat o 8%, co pozwalać ma na rozpraszanie mocy 5 W (przez sam tylko tranzystor). Maksymalna obsługiwana moc (chwilowa) sięgać ma aż 1.2 kW. Pracować może z napięciami do kilkuset woltów i prądami impulsowymi o wartościach kilkudziesięciu amperów.
Całość została zaprojektowana tak, by (podobnie jak w konstrukcji STM) zwiększyć żywotność i uprościć wymagania stawiane płytkom PCB. Znaleźć mają zastosowanie w aplikacjach związanych z zasilaniem, branżą solarną, sprzętem telekomunikacyjnym, itd. Masowa produkcja ruszyć ma w trzecim kwartale 2013 roku.