Mniejsze, a mimo to mocne MOSFETy

NXP wprowadza na rynek 54 nowych tranzystorów MOSFET, które umieszczono w obudowie LFPAK56, przez co zajmują o 55% mniej miejsca, niż inne komponenty o podobnych parametrach zwykle pakowane w obudowy DPAK. Pozwala to nie tylko zmniejszyć gabaryt gotowych aplikacji, ale także koszty ich budowy, jak zapewnia producent. Obudowa ta zapewnić ma również zwiększoną wytrzymałość mechaniczną, jak i wydajność termiczną, co pozwala na ich pracę w trudnych warunkach. Oferta ta obejmuje komponenty, które zyskały kwalifikację motoryzacyjną. Mogą pracować nawet przez 1600 godzin w podwyższonej temperaturze 175 stopni Celsjusza. Dostępne mają być tranzystory na napięcia: 30, 40, 60, 80 i 100 V. MOSFETy te cechują się również bardzo niskimi wartościami rezystancji RDS(on), a także indukcyjnością i rezystancją termiczną. Przykładem może być tranzystor BUK9Y3R0-40E, który pracować może przy napięciu 40 V, obsługując prąd o natężeniu do 100 A, m.in. dzięki RDS(on) wynoszącym zaledwie 3 mΩ. Nada się świetnie do sterowania silnikami (np. od ustawiania siedzeń, podnoszeniu szyb, itp.). BUK9Y38-100E z kolei oferować ma RDS(on) wynoszące 38 mΩ, a pracować może przy napięciu 100 V. Ten przeznacza się głównie do pracy z LEDami, także (oprócz w/w parametrów) dzięki bardzo niskiej indukcyjności. Wśród tej bogatej oferty z pewnością każdy znajdzie coś dla siebie, jak zapewnia producent. Do budowy tych tranzystorów wykorzystano najnowszą technologię Trench 6.