Micron i IBM pracują nad produkcją pamięci HMC

Nowe pamięci HMC mają powstawać w technologii 2 nm, w fabrykach IBM w East Fishkill (koło Nowego Jorku). Oznacza to, że droga do gotowych produktów nie jest już wcale tak odległa, a pamięci HMC mogą okazać się jedną z największych rewolucji na rynku DRAM w nadchodzącej dekadzie. Dlaczego HMC? Micron zauważył, że warstwy krzemowych chipów można układać na sobie, zamiast rozmieszczać je koło siebie na płytce PCB. Dzięki temu można znacznie zmniejszyć rozmiary samego układów z pamięci DRAM, a także zmniejszyć zużycie energii nawet o 70%. Dodatkowo skorzystanie z takich bezpośrednich połączeń pozwoli nawet na piętnastokrotne (15x) zwiększenie przepustowości. Prototypowy produkt stworzony przez Microna oferuje przepustowość na poziomie 128 GB/s, czyli dziesięciokrotnie więcej niż przeciętny moduł DDR3. Analitycy przewidują, że już niebawem wyniki będą jeszcze lepsze. Źródło: VR-ZONE