Porozumienie Hynix i HP przewiduje wspólne prace nad pamięciami nieulotnymi typu ReRAM. Memrystory zostały po raz pierwszy zademonstrowane w laboratoriach HP w roku 2006. Obok kondensatora, opornika i cewki indukcyjnej ten rodzaj pamięci uznawany jest za czwarty podstawowy pasywny element elektroniczny. Jego rezystancja zmienia się w zależności od wysokości napięcia przepływającego przez niego prądu elektrycznego, a dany element potrafi ją zachować także po odłączeniu napięcia.

Branża elektroniczna pokłada w memrystorach ogromne nadzieje na skonstruowanie mniejszej, tańszej, szybszej i bardziej energooszczędnej pamięci dla urządzeń elektronicznych.

Przedstawiciele Hynix i HP twierdzą, że pamięci wykorzystujące memrystory będą pracowały 10-krotnie szybciej i zużywały 10 razy mniej energii niż obecne układy pamięci flash.

Źródło: tvn24.pl