reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Pixabay Technologie | 12 września 2017

Rewolucja w MRAM, czyli pamięci, które w końcu staną się warte uwagi?

Nowy CEO w STT przewiduje, że dzięki ich najnowszej technologii pamięci MRAM w końcu zabłysną i mogą zawojować rynek. Dzięki ich nowemu silnikowi, MRAM mają stać się wolne od błędów, wydajne i trwałe.
Spin Transfer Technologies (STT) jest jedną z firm, która pracuje nad rozwojem technologii MRAM. Firma pod nowym kierownictwem Toma Sparkmana (jeden z założycieli m.in. Maxim), ma nieco bardziej rozwinąć skrzydła, dzięki nowym rozwiązaniom.

STT nadal pracuje nad technologią transferu spinu ortogonalnego, które prowadzić ma do technologii prostopadłych magnetycznych złączy tunelowych (pMTJs – perpendicular magnetic tunnel junctions ). Jednocześnie oferuje próbki nowych pamięci MRAM, wyposażonych w ten mechanizm firmom z Azji i Ameryki Północnej.

Teraz jednak, oprócz pracy nad w/w projektem, STT skupi się na silnikach MRAM. Mają być wbudowane w mechanizm transferu momentu spinu („spin torque transfer MRAM array”), by móc korygować wady MTJ, a w efekcie zwiększyć wydajność pamięci MRAM.

Jak na razie jednak nie są znane szczegóły wspomnianego silnika. Póki co firma pracuje nad odpowiednim patentem. Jednak, jak zapewnia Sparkman, technologia ta może zaoferować MRAM to, co SanDisk zrobiło z pamięciami NAND. Mowa tu o technologii All Bit Lane (ABL), która zaprezentowana została w 2000 roku. Ma więc to być podobny mechanizm, zapewniający nie tylko świetną wydajność, ale też trwałość, solidność i niezawodność w działaniu.

Przed pojawieniem się ABL technologię NAND uważano za tragiczną, pod wieloma względami. Jednak to dzięki Eli Harari z SanDisk, technologia ta zyskała nowe życie. Wszystko dzięki temu, że Eli potrafił poradzić sobie z tą technologię, zrozumiał ją i potrafił obudować NAND w taki sposób, że całość zaczęło działać niezawodnie i wydajnie.

Teraz jest to niejako standard w wielu rozwiązaniach. Co więcej, rynek pamięci NAND w sektorze mobilnym szacuje się na niemal 50 miliardów dolarów. Sparkman zapewnia, że ich nowa technologia może zrobić to samo dla MRAM, otwierając drogę dla tej technologii w komercjalizacji.

Idea powstania silnika MRAM wywodzi się z pracy STT nad usuwaniem wad technologii MRAM. Jedną z nich jest to, że technologia ta jest utożsamiana z technologiami probabilistycznymi, zamiast deterministycznymi. Oznacza to, że nie ma się pewności co do tego, czy dane zapisane w komórkach są faktycznie zapisane. Okazjonalnie zdarza się bowiem, że zapis może się z różnych względów nie powieść.

Wielkim wyzwaniem było więc opracowanie mechanizmów, które zminimalizowałyby błędy zapisu do najniższego poziomu, jaki jest możliwy do osiągnięcia. Jednak poziom ten okazywał się często niewystarczający. Lata pracy sprawiły, że inżynierowie STT stali się ekspertami od niwelowania wad technologii MRAM.

Silnik MRAM ma zostać wbudowany niejako bezpośrednio w strukturę matrycową MRAM. Ma to wynikać z tego, jak owy silnik ma działać. Nie ma on bowiem pracować na zasadzie „naprawiaj-po-fakcie”.

Sparkman przewiduje również, że dzięki temu mechanizmowi uda się stworzyć realną konkurencję dla pamięci NAND oraz DRAM, a być może nawet w niedługim czasie je zastąpić. Jego prognozy związane z zaadaptowaniem MRAM przez rynek wydają się być bardzo optymistyczne. Być może to wynikać z faktu, że technologią tą interesują się duże firmy, takie jak Samsung, który planuje produkować pierwsze kości pamięciowe już w przyszłym roku.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
September 15 2017 09:25 V8.7.1-1