reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© kornwa dreamstime.com Technologie | 24 maja 2017

Analiza polikrystalicznego krzemu w tranzystorach cienkowarstwowych

Nowa technologia Toshiby pozwala na skuteczną wizualizację i analizę przepływu elektronów w nanostrukturach polikrystalicznego krzemu. Możliwe jest dokładne określenie zjawisk i miejsc, które towarzyszą pogarszaniu się parametrów, dzięki czemu pojawia się możliwość ich eliminacji.
Toshiba opracowała nową technologię, pozwalającą na lepsze wizualizowanie zależności pomiędzy wydajnością związaną z przepływem elektronów w kanałach przewodzących (ścieżkach prądowych), a krystalicznymi strukturami w polikrystalicznym krzemie w nano skali, w tranzystorach cienkowarstwowych.

Konwencjonalnymi metodami trudno jest wyjaśnić niektóre z tych zależności, a tym samym znaleźć powody pogarszania się właściwości elektrycznych. Dzięki nowej technologii Toshiby, będzie można w sposób bezpośredni zidentyfikować przyczyny powstawania takich sytuacji, co w konsekwencji pozwoli na ich wyeliminowanie, a dalej na poprawienie właściwości budowanego elementu, w tym wydajności.

Technologię tą przedstawiono na sympozjum International Reliability Physics Symposium (IRPS 2017), odbywającego się w kwietniu w Monterrey w USA.


Tranzystory cienkowarstwowe stosuje się coraz częściej. Są to elementy oparte o struktury trójwymiarowe, oparte na ułożonych w stos cienkich warstwach polikrystalicznego krzemu. Stopniowo wypierają one tradycyjne tranzystory, co wynika to z potrzeb, jakie generuje rynek, np. w branży IoT, gdzie wymaga się coraz wyższej efektywności, sprawniejszego działania przy jednoczesnej redukcji gabarytów. Jednakże krzem polikrystaliczny, z racji swojej niejednorodnej budowy, pogarsza właściwości elektryczne tranzystorów.

Dzięki nowej technologii, analizującej krystaliczną strukturę określonych kanałów tranzystora, możliwe będzie skuteczniejsze lokalizowanie miejsc, w których zachodzą niekorzystne zjawiska, wpływające na pogarszanie się właściwości elektrycznych tych struktur. Technologia powstała na bazie doświadczeń inżynierów z Toshiby, którzy analizowali wiele próbek (z wyprodukowanych tranzystorów), z wykorzystaniem takich narzędzi jak mikroskopy elektronowe.

Metoda ta pozwoliła po raz pierwszy spojrzeć na to, od czego zależy wydajność tranzystorów zbudowanych w oparciu o krzem polikrystaliczny. Widać dzięki temu silną zależność pomiędzy wydajnością, a wielkością ziaren krystalicznych, a także ich ułożeniu.





© Toshiba

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 14 2017 20:30 V8.8.9-2