reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© grzegorz wolczyk dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 29 lutego 2016

EUV pojawi się w ciągu dwóch lat

Długo oczekiwana litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) pojawi się prawdopodobnie w ciągu najbliższych dwóch lat.
Litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie pozwoli na produkcję układów scalonych w procesie 7 nanometrów. Do uruchomienia masowej produkcji EUV brakuje źródeł światła o odpowiednio dużej mocy, a w dodatku dostępne źródła są niewystarczająco stabilne. Fabryki TSMC korzystają ze źródeł o mocy 85 watów, a w najbliższej perspektywie będą używać źródeł do 125 W. Z kolei producent urządzeń do litografii, ASML, dysponuje EUV o mocy 185 W i wkrótce planuje osiągnąć moc 250 W. Pomimo możliwości naświetlenia 500-600 plastrów krzemowych dziennie, nie jest to wydajność konkurencyjna dla urządzeń do litografii zanurzeniowej. Dwu-, trzykrotne zwiększenie wydajności urządzeń EUV będzie możliwe już za dwa lata, co pozwoli na zmniejszenie kosztów produkcji drugiej generacji 7-nanometrowych układów.

EUV charakteryzuje się takimi zaletami jak uproszczenie technologii układów w technologiach 16 nm i mniejszych oraz redukcja kosztów. W litografii zanurzeniowej osiągnięcie tak wysokiej precyzji wymaga wielokrotnego przetwarzania tych samych plastrów.

Źródło: CEZAMAT

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-2