reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© grzegorz wolczyk dreamstime.com Przemysł elektroniczny | 29 lutego 2016

EUV pojawi się w ciągu dwóch lat

Długo oczekiwana litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie (EUV) pojawi się prawdopodobnie w ciągu najbliższych dwóch lat.
Litografia w ekstremalnie dalekim ultrafiolecie pozwoli na produkcję układów scalonych w procesie 7 nanometrów. Do uruchomienia masowej produkcji EUV brakuje źródeł światła o odpowiednio dużej mocy, a w dodatku dostępne źródła są niewystarczająco stabilne. Fabryki TSMC korzystają ze źródeł o mocy 85 watów, a w najbliższej perspektywie będą używać źródeł do 125 W. Z kolei producent urządzeń do litografii, ASML, dysponuje EUV o mocy 185 W i wkrótce planuje osiągnąć moc 250 W. Pomimo możliwości naświetlenia 500-600 plastrów krzemowych dziennie, nie jest to wydajność konkurencyjna dla urządzeń do litografii zanurzeniowej. Dwu-, trzykrotne zwiększenie wydajności urządzeń EUV będzie możliwe już za dwa lata, co pozwoli na zmniejszenie kosztów produkcji drugiej generacji 7-nanometrowych układów.

EUV charakteryzuje się takimi zaletami jak uproszczenie technologii układów w technologiach 16 nm i mniejszych oraz redukcja kosztów. W litografii zanurzeniowej osiągnięcie tak wysokiej precyzji wymaga wielokrotnego przetwarzania tych samych plastrów.

Źródło: CEZAMAT

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 25 2017 15:01 V8.0.2-1