Tranzystory mocy RF na pasmo 6 GHz

Firma Richardson RFPD i TriQuint Semiconductor zaprezentowała nowy tranzystor mocy na pasmo 6 GHz, (pełny zakres od DC do 6 GHz). Stworzono je w procesie 0,25 um TriQuint. Przekłada się to na wykorzystanie technologii GaN na SiC, a dalej na obsługę wysokich mocy i wysoką wydajność drenu. Tranzystory te poradzą sobie bowiem z mocą 30 W. Cechują się ponadto liniowym wzmocnieniem na poziomie 14 dB, przy częstotliwości maksymalnej 6 GHz i przy napięciu 28 V. Optymalizacja budowy tego tranzystora i bardzo dobre parametry pracy pozwolą zredukować koszty budowy systemów radiowych i komunikacyjnych w sprzęcie komercyjnym, przemysłowym, wojskowym, a także w wielu innych aplikacji gdzie istnieje konieczność wzmacniania wysokich częstotliwości. Możliwe jest to dzięki zmniejszeniu liczby tranzystorów o słabszych parametrach, często łączonych równolegle. Omawiane tranzystory typu HEMT (jak opisuje je producent), cechują się również lepszą gospodarką ciepłem, co także może pozwolić na dodatkową redukcję kosztów.