Nowe pamięci FRAM od Fujitsu

Firma Fujitsu Semiconductor wypuszcza nową serię nieulotnych pamięci FRAM (Ferroelectric RAM), pracujących przy napięciu od 3 do 5,5 V (poziomy CMOS). Seria została oznaczona symbolem „V”. Pierwsze dwa komponenty z tej serii są już dostępne w sprzedaży: MB85RC16V i MB85RC64V. Cała seria ma oferować pojemności od 16 kb do 256 kb. Przedstawione wyżej układy posiadają pojemność 16 i 64 kb, a do komunikacji wykorzystują interfejs I2C, lecz w planach jest wypuszczenie wersji obsługujących interfejs SPI, o pojemności 64 kb. Częstotliwość pracy wynosi 400 kHz. Okres przechowywania danych określa się na około 10 lat i to przy temperaturze 85 stopni Celsjusza. Należą więc do układów o wysokiej wytrzymałości. Ilość cykli zapisu i odczytu wynosić może nawet miliard (10^9). Jeśli chodzi o minimalną temperaturę pracy, wynosić może ona -40 stopni. Pamięci te umieszczono w obudowach SOP o 8-miu wyprowadzeniach. Wyjścia są kompatybilne pinowo z większością dostępnych na rynku pamięci EEPROM.