MOSFET o bardzo niskiej rezystancji RDS

Nowe MOSFETy od NXP, należeć mają do rodziny NextPower. Rezystancja Dren-Źródło (D-S), ujawniająca się w stanie nasycenia, jest jedną z przyczyn nadmiernego grzania się układów i wynikłych z tego strat. Tranzystory umieszczone zostały w obudowie LFPAK, dzięki czemu są kompaktowe. Ich wymiary to 5 mm na 6 mm. Nowością w tych tranzystorach jest zastosowanie tzw. 'technologii super-złączy' („superjunction technology”). Ma to na celu nie tylko poprawę RDS, ale także takich parametrów jak Qoss, Qg(tot), Qgd, by zapewnić jak najmniejsze straty na drodze Dren-Źródło, zarówno podczas pracy ciągłej, jak i przełączania. Mają znaleźć zastosowanie w zasilaczach, konwerterach DC-DC, regulatorach i innych podobnych urządzeniach.