reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Cree Komponenty | 21 marca 2011

Pierwszy krzemowo węglowy MOSFET

Wyglądana na to, że zapowiadane już wcześniej, nowe tranzystory mocy oparte o materiał SiC wchodzą na rynek. MOSFETy oparte o ten związek, mają się stać powszechne w ciągu kilku najbliższych lat.
Nowe tranzystory zaprezentowała firma Cree, specjalizująca się do tej pory w innowacyjnych rozwiązaniach LED. Przedstawione przez nią tranzystory, noszące nazwę CMF20120D są tranzystorami mocy nowej generacji, charakteryzujące się wysokim napięciem przewodzenia, wynoszącym nawet 1200V.

Obecny produkt zastosowany ma być w urządzeniach takich jak falowniki w energetyce słonecznej, zasilacze wysokich napięć oraz wiele innych podobnych rozwiązań przemysłowych związanych ze sporymi napięciami. Firma prognozuje jednak, że już wkrótce tranzystory mocy oparte o SiC stosować będzie można wszędzie, od układów sterowania, trakcji, pojazdów elektrycznych po energetykę wiatrową. Rezystancja przewodzenia (dren-źródło) wynosi ok 80mΩ, a przy wzroście temperatury, pozostaje na poziomie nie przekraczającym rezystancji 100mΩ. Spadek napięcia przy prądzie 20A wynosi około 2V.

W porównaniu do IGBT, nowe tranzystory mają zapewniać wzrost wydajności o 2% oraz od 2 do 4 razy szybsze przełączanie oraz wyłączanie tranzystora, co w sumie skutkuje sprawnością, nowych urządzeń, wynoszącą do 99%. W strukturze nowych tranzystorów wykorzystano także diody Schootky o napięciach 600V, 1200V i 1700V, zależnie od modelu komponentu.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 14 2017 20:30 V8.8.9-2