Pamięci MRAM trafiają na rynek

Firma Everspin Technologies Inc. poinformowała, że rozpoczyna produkcję masową swoich kości pamięciowych opracowanych w technologii STT-MRAM („spin-transfer torque magnetic RAM”), z wykorzystaniem procesu 40 nm. Nowe kości pamięciowe mają korzystać z interfejsu ST-DDR3 i mieć pojemność 256 Mb (mega-bitów). Jest to kolejny krok w upowszechnieniu tej technologii. Pamięci te były dostępne dla zainteresowanych jak do tej pory, lecz w pojedynczych egzemplarzach (próbki). Dzięki technologii STT-MRAM, a także wykorzystaniu interfejsu DDR3, nowe pamięci oferować mają niesamowitą wydajność. Szybkość zapisu ma być nawet 100 tysięcy razy większa, niż w przypadku klasycznych pamięci NAND Flash. Warto przypomnieć również, że producent zapowiedział także, że w niedługim czasie na rynku pojawią się komponenty oparte na tej technologii, lecz o pojemności znacznie większej, bo 1 Gb.