Nowe pamięci Samsunga – 10-krotnie szybsze niż GDDR5

Samsung Electronics, światowy lider nowoczesnych technologii pamięciowych, ogłosił że rozpoczyna produkcję swoich nowych pamięci Aquabolt. Są to pamięci DRAM drugiej generacji, typu HBM2 (High Bandwidth Memory-2), o pojemności 8 GB. Oferować mają najwyższą prędkość przesyłania danych, spośród pamięci dostępnych obecnie na rynku. Pamięci Aquabolt mają być pierwszymi takimi pamięciami HBM2, które umożliwią przesyłanie danych z prędkością 2.4 Gbps poprzez pojedynczy pin, przy napięciu 1.2 V. Zastosowaniem miałyby być póki co aplikacje wysoko wydajne, jak superkomputery i nowoczesne karty graficzne. - Dzięki tym pamięciom, jeszcze bardziej umocnimy swoją pozycję lidera technologicznego [...] - mówi Jaesoo Han z firmy Samsung. Parametry oferowane przez nowe kości pamięciowe HBM2 8 GB Aquabolt sprawiają, że pamięci te mogą pochwalić się najwyższą wydajnością DRAM. Biorąc pod uwagę wysoką prędkość przesyłania danych na pojedynczym wyprowadzeniu przy niskim zużyciu energii (i niskim napięciu), nowe komponenty oferują o 50% większą wydajność, w porównaniu do swoich poprzedników (oferujących prędkości transferowane na poziomie 1.6 Gbps przy 1.2 V lub 2 Gbps przy 1.35 V).

Nowe pamięci już wkrótce mają trafić do zainteresowanych, zwłaszcza w sektorach IT. Firma Samsung chce dzięki temu wpłynąć na rozwój superkomputerów, systemów sztucznej inteligencji, czy też zwiększanie mocy przy przetwarzaniu i generowaniu grafiki.

Wszystkie te usprawnienia owocują tym, że nowe pamięci Samsunga mają oferować sumaryczną efektywność na poziomie 307 GBps (Gigabajtów na sekundę). Jest to wartość niemal 10-krotnie lepsza, niż oferować mają pamięci GDDR5 (oferujące około 32 GBps). Dzięki tym pamięciom Samsung wyraźnie umacnia swoją pozycję na rynku producenta pamięci DRAM klasy premium. Jednocześnie, producent zapowiada, że nie zamierza zwalniać. Prace nad dalszym rozwojem technologii HBM2 mają trwać nadal. Same kości pamięciowe zbudowano z wykorzystaniem najnowszych technologii i rozwiązań tego producenta. Zastosowano tu nowoczesne połączenia TSV i systemy kontroli termicznej. Uwagę zwracają właśnie TSV. Osiem warstw struktur pamięciowych o pojemności 8 Gb każda ułożono w konfiguracji pionowego stosu, a następnie połączono z wykorzystaniem 5000 pionowych połączeń TSV. Same łączenia także uległy zmianom, co pozwoliło uniknąć krzywizn i zwiększyło ogólną wydajność. Zwiększono także ilość wypustów termicznych pomiędzy kolejnymi warstwami HBM2. Dzięki temu kontrola nad temperaturą jest lepsza. Dodano także dodatkową ochronną warstwę fizyczną u dołu, co zwiększyło wytrzymałość całości.