Wydajny, pełny mostek MOSFET w pojedynczym scalaku

Firma STMicroelectronics przedstawiła układ SiP, oznaczony jako PWD13F60. Ma to być kompletny pełny, jednofazowy mostek („Full Bridge”) MOSFET. Tranzystory wchodzące w skład tego układu są w stanie pracować z napięciem do 600 V i z prądem o natężeniu do 8 A. Całość udało się zmieścić w niewielkiej obudowie o wymiarach 13 na 11 mm. Pozwoli to oszczędzić znacznie na kosztach budowy aplikacji, a także na miejscu na płytce PCB. Zastosowaniem mają być sterowniki silników, zasilacze, układy balansujące, konwertery, itp. W porównaniu do rozwiązań zbudowanych na komponentach dyskretnych, rozwiązanie oparte na PWD13F60 zajmuje nawet 60% mniej miejsca. Oznacza to większą gęstość energetyczną. Jest więc alternatywą dla układów podwójnych (pół-mostków) jednofazowych, lub układów trójfazowych z sześcioma tranzystorami. Dzięki temu, dla wybranych aplikacji układ ten będzie idealnym. Zapewni dużą wydajność, na małej powierzchni i nie pozostawi nieużywanych zasobów. Producent przewidział jednak możliwość takiego skonfigurowania układu, by mógł pracować także jako dwa niezależne pół-mostki. W strukturze PWD13F60 znajdziemy oprócz tranzystorów MOSFET także dedykowane im sterowniki i diody zwrotne. Sterowniki zostały tak zoptymalizowane, by zapewnić niezawodną i długą pracę, przy jednoczesnym minimalnym poziomie emitowanych zakłóceń EMI. Znajdziemy tu również kilka zabezpieczeń (zwarciowe, podnapięciowe), wpływające na większy poziom niezawodności. Wejścia logiczne akceptują sygnały o poziomach od 3 do 15 V. Pozwoli to na łatwą integrację zarówno z MCU, jak również DSP i bezpośrednio z sensorami Halla.