reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© alexander fediachov dreamstime.com Technologie | 13 października 2017

ReRAM 1000-krotnie szybsze niż Flash

Nowe pamięci ReRAM 3D od Crossbar do rewolucyjny wzrost wydajności, poprawiając szybkość tych pamięci nawet 1000-krotnie. Co więcej, możliwe jest też zejście do 10 nm, tworząc kości pamięciowe o pojemności nawet kilku terabajtów.
ReRAM w ostatnim czasie przeżywa silny rozwój i coraz częściej się mówi tej technologii, jako następcy pamięci Flash. Nad rozwojem ReRAM pracuje między innymi firma Crossbar, prezentując swoje najnowsze osiągnięcia w pamięciach tego typu.

Crossbar stworzył pamięci 3D ReRAM, które mają być nawet 1000-krotnie szybsze, niż klasyczne pamięci Flash. Jest to zasługa w sporej mierze znacznej redukcji czasu opóźnień przy odczycie (100-krotnie).



Co ciekawe, pamięci te bazować mają na standardowych procesach tworzenia struktur pamięciowych oraz na materiałach CMOS. Dzięki temu technologię tę będzie można w dość prosty sposób wdrożyć do masowej produkcji, obniżając koszty wprowadzenia na rynek.

Prosta i skalowalna struktura komórek, opracowana przez Crossbar, umożliwia wyprodukowanie nowej klasy pamięci 3D ReRAM, które mogą być wytwarzane w standardowym procesie CMOS.
Metoda produkcji wykorzystuje procesy nisko-temperaturowe. Dzięki temu możliwe jest bezpośrednie umieszczenie wielu warstw pamięci ReRAM na logice CMOS, w ramach pojedynczego układu scalonego.

W efekcie, możliwe staje się tworzenie struktur trójwymiarowe, które nie tylko zwiększą pojemność poszczególnych układów pamięciowych, ale będą zajmować mniej miejsca. Jak szacuje producent, dzięki swoim zaletom, możliwe będzie stworzenie (pojedynczych) kości pamięciowych o pojemnościach sięgających kilku terabajtów.

Warto też zwrócić uwagę na kwestie miniaturyzacji w stosunku do wydajności. W przypadku technologii Flash dzieje się tak, że w miarę zmniejszania się poszczególnych komórek pamięciowych i ścieżek, spada też wydajność. W przypadku ReRAM od Crossbar efekt ten nie występuje. Umożliwia to budowanie wydanych, superszybkich pamięci, schodząc nawet poniżej 10 nm.

Nowe pamięci ReRAM wydają się być więc ciekawą alternatywą dla pamięci Flash (i nie tylko). Są one nie tylko wielokrotnie szybsze, ale mogą przyczynić się do jeszcze większej miniaturyzacji oraz ogromnej poprawy pojemności całych modułów pamięciowych. Jak zapewnia producent, lepsza jest także ich żywotność, jako elementy przechowywania danych na dłużej.

Producent zapewnia, że dane mogą być bezproblemowo przechowywane nawet przez 10 lat w temperaturze 85 stopni Celsjusza. Maksymalna temperatura pracy wynosić ma 125 stopni Celsjusza, zaś minimalna -40. Żywotność szacuje się na nawet milion cykli zapisu.

Warto też zwrócić uwagę, że proces usuwania danych praktycznie nic nie kosztuje, co również poprawia ogólną efektywność pamięci ReRAM, w stosunku do Flash.



© Crossbar

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 13 2017 22:15 V8.9.2-1