reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© pucha dreamstime.com Technologie | 28 września 2017

CBRAM – rezystancyjne pamięci RAM

Nowa technologia CBRAM może stanowić przełom w nieulotnych pamięciach ReRAM. Pozwolić może znacznie wyprzedzić pamięci Flash, zarówno pod względem zużywanej energii, jak również szybkości pracy (nawet 20-krotnie).
Firma Adesto pracuje nad niezwykłą technologią pamięciową: CBRAM, czyli „Conductive Bridging RAM”. Ma to być rewolucyjna technologia nieulotnych, rezystancyjnych pamięci RAM (ReRAM).

Podstawowa architektura pamięci Adesto Sposób działania CBRAM Przekrój produktu CBRAM ilustruje łatwość implementacji standardowym procesie CMOS.
Adesto w swojej technologii CBRAM, skupia się głównie na redukcji zużywanej energii. Jak podaje producent, redukcja ta jest znaczna, mocno wyprzedzając pod tym względem wielu konkurentów.

Co więcej, redukcja zużywanej energii nie wpływa na niezawodność i wydajność tych pamięci. Jest to efekt zastosowanych mechanizmów, pozwalających na bardzo szybkie operacje przy bardzo niskim napięciu i zużyciu energii. Możliwe więc, że technologia CBRAM będzie odpowiedzią na zapotrzebowanie na energooszczędne nieulotne pamięci w aplikacjach IoT i innych urządzeniach, gdzie niskie zużycie energii jest ważnym kryterium przy ich projektowaniu.

Technologia ta opierać się ma na zastosowaniu układu warstw metalizowanych i dielektrycznych między standardowymi połączeniami CMOS na metalizowanej powierzchni. Całość jest dodatkowo bardzo kompaktowa. Wielkość poszczególnych komórek pamięciowych jest w ten sposób determinowana przez wielkość tranzystora u podstawy komórki. Warto również wspomnieć, że technologia ta ma być łatwa do zaimplementowania w procesie produkcyjnym, dzięki czemu koszty produkcji nie powinny wyraźnie wzrosnąć.

Efektem jest wspomniana technologia nieulotnych (NVM) pamięci o dużej skalowalności (CMOS). Jak zapewnia producent, technologia CBRAM umożliwia skalowanie w dół, zgodnie z technologiami CMOS, zarówno pod względem fizycznym, jak również elektrycznym.

Podobnie jak inne technologie ReRAM, CBRAM również opiera się na reprezentowaniu danych w komórkach pamięciowych poprzez zmianę ich rezystancji. Zmiany te zachodzą pod wpływem przykładania odpowiedniego napięcia i prądu, wytwarzając odpowiednie łącze.

Łącze to - jak zapewnia producent - jest bardzo mocne. Jest w stanie wytrzymać bardzo duży stres temperaturowy, wywołany nagłymi zmianami temperatury. Dodatkową zaletą tego rozwiązania i tej technologii jest bardzo krótki czas operacji zapisu (poniżej 1ms), w porównaniu do dzisiejszych technologii Flash (około 1ms). Dodatkowo, nie ma tu wymogu, by wcześniejszy stan komórki pamięciowej został wymazany.

Wszystko to ma sprawiać, że pamięci te są nie tylko energooszczędne, ale i szybsze niż pamięci Flash. Jak podaje producent, zużycie energii może być od 10 do nawet 100 razy mniejsze. Jeśli zaś chodzi o szybkość pracy, to producent zapewnia o 20-krotnej poprawie efektywności pracy.

© Adesto

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 13 2017 22:15 V8.9.2-1