reklama
reklama
reklama
reklama
© Samsung Electronics Technologie | 11 sierpnia 2017

Nowości od Samsunga: V-NAND i następna generacja Z-NAND

Samsung Electronics zapowiedział nowe rozwiązania mające sprostać wymaganiom nowoczesnych centrów przechowywania danych.
Pamięci V-NAND, czyli Vertical NAND mają cechować wyższe prędkości przetwarzania danych, zwiększona skalowalność systemów i niskie opóźnienia. Pojemność układów również odgrywa tu ważną rolę - pojedynczy czip V-NAND będzie w stanie pomieścić 1Tb (Terabit) danych, co umożliwi tworzenie zestawów kości o pojemności sięgającej 2TB. Prędkość transferu danych w nowych układach może sięgać nawet 1,2 Gbps.

Jak tłumaczy executive vice president Samsung Electronics, Hyun Kyung, technologia Vertical NAND, będąca wariacją 3D-NAND oparta jest na umieszczeniu obwodów peryferyjnych w nowej warstwie na spodzie stosu komórek pamięci. Obecnie stosowane 512-Gbitowe układy pamięci Samsunga skłądają się z 9 poziomych kanałów i 34 warstw komórek pamięci, ułożonych schodkowo. Co prawda, zdaniem Kyung, układy, w których na komórkę przypadają cztery bity spełniają większość wymagań, jakie dziś są im stawiane, jednak firma od dawna pracuje nad pamięciami, które dzięki minimalnym opóźnieniom zapełnią lukę, jaka obecna jest pomiędzy układami NAND i DRAM.

W międzyczasie Samsung pracuje również nad kolejną generacją dysków SSD wykorzystujących technologię Z-NAND, dedykowanych do pracy w centrach danych, będących bezpośrednią konkurencją serii Optane od Intela. Układy są zoptymalizowane pod kątem minimalizowania opóźnień, które w poprzedniej generacji wynosiły 15 mikrosekund. Nowe układy mają wykorzystywać dwa bity na komórkę i mają stanowić nieco tańszą wersję poprzednika.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
August 13 2017 16:10 V8.5.9-1