reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Intel
Technologie |

Kolejny duży krok Intela w rozwoju SSD

Firma Intel rozwija swoje technologie związane z pamięci Flash. Przedstawiają swoje nowoczesne, pionierskie rozwiązania związane z 64-warstwowymi pamięciami 3D NAND Flash, dzięki którym SSD staną się pojemniejsze, trwalsze i szybsze.

Firma Intel ogłosiła, że stworzyła i oferuje nowe kości pamięciowe. Są to pamięci wykorzystujące nowoczesną technologię 3D NAND Flash, 64-warstwową typu TLC (Triple-Level Cell). Jak zapewnia producent, mają to być pierwsze tego typu kości, dostępne na rynku. Co więcej, nowe kości pamięciowe udało się już skutecznie zaimplementować, tworząc pojemne dyski SSD oznaczone symbolem 545. Mają to być urządzenia wysokiej klasy o dużej niezawodności. Dzięki nim stare komputery PC zyskają nowe życie i znacznie przyśpieszą. Nowe maszyny również mogą zyskać. Technologia ta pozwala uzyskać większą gęstość, a tym samym większą pojemność. Nowe pamięci łączą ze sobą technologie Intel 3D NAND Flash (wykorzystując architekturę pływającej bramki), a także opisywaną już przez nas Intel Optane. To dzięki tej ostatniej, pamięci mimo większej pojemności pozostają wysoce niezawodne, trwałe, ale też bardzo szybkie (małe opóźnienia).
Wszystkie te technologie, w tym architektura pływającej bramki (floating gate architecture) pozwala na osiąganie nie tylko dużych gęstości, ale zapewnia świetną skalowalność dla przyszłych rozwiązań. Intel’owi udało się zminimalizować wielkość pojedynczych komórek i połączyć to z logiką, umieszczoną poniżej. W ten sposób, jak zapewnia producent, stworzono najwyższą gęstość powierzchniową, wyprzedzając tym samym konkurentów. W swojej klasie, kości pamięciowe firmy Intel mają być najbardziej pojemnymi. Wysoka gęstość pozwala upchnąć więcej Gb w pojedynczym układzie, w porównaniu do rozwiązań konkurencyjnych. Intel zwraca też uwagę na sam, wysoce zaawansowany proces produkcyjny, dzięki któremu technologie 3D Flash oraz architektura pływającej bramki pozwala na tworzenie tak zaawansowanych układów pamięciowych. Dzięki takim procesom udaje się przejść z technologii 2D na 3D, z MLC na TLC, a teraz także z pamięci 32-warstwowych na 64-warstwowe. Z każdą kolejną generacją procesy te stają się doskonalsze i bardziej zaawansowane, co pozwala pchnąć dalej technologie pamięciowe. Firma Intel pragnie, by dzięki takim technologiom klienci mogli sprawnie przejść z pamięci 32-warstwowych na 64-warstwowe. Gotowe urządzenia, wykorzystujące te technologie pojawić się mogą w połowie 2018 roku, jak podaje producent. Klienci mają zyskać wtedy nie tylko pojemniejsze pamięci, ale też trwalsze, bardziej niezawodne, szybsze i bardziej energooszczędne.

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 15 2024 11:45 V22.4.27-2
reklama
reklama