© Evertiq
Komponenty |
DDR3 SDRAM na napięcia 1.2/1.8 V
Nowe kości pamięciowe od Alliance Memory stworzono z myślą o urządzeniach mobilnych. Wbudowane funkcje, jak i sama ich budowa mają przyczyniać się do znacznego zredukowania średniego zużycia energii, co wydłuży czas pracy aplikacji przy zasilaniu z akumulatorów.
Firma Alliance Memory zaprezentowała nowe kości pamięciowe, oznaczone symbolem AS4C512M32MD3. Są to bardzo szybkie pamięci mobilne (LP)DDR3 SDRAM, zaprojektowane z myślą o wydłużeniu czasu pracy urządzeń zasilanych z baterii lub akumulatorów.
Cechuje je możliwość pracy z bardzo niskim napięciem: 1.2/1.8 V, jak podaje producent. Oprócz tego posiadać mają dodatkowe funkcje, dzięki którym możliwe będzie obniżenie średniego zużycia energii.
Jedną z tych funkcji jest TCSR, czyli automatyczna temperaturowo-kompensowana funkcja samoczynnego odświeżenia. Ma ona przyczynić się do obniżenia zużycia energii w niższych temperaturach otoczenia. Funkcja PASR przyczynia się do redukcji zużycia energii poprzez odświeżanie jedynie krytycznych danych umieszczonych w pamięci. Tryb głębokiego uśpienia może być wykorzystywany kiedy nie ma konieczności pamiętania danych w danym momencie. W środku znajdziemy także inne funkcje, wspomagające zapisywanie i odczytywanie danych.
Kości mają posiadać pojemność 16 Gb. Udało się całość zamknąć w obudowie FBGA o wymiarach 11 na 11.5 mm. Stworzono je z wykorzystaniem technologii 20 nm. Wewnętrzna struktura składa się z ośmiu banków 32x32 Mb. Częstotliwość pracy wynosić może 667 MHz dla prędkości 1333 Mbps.
