© Evertiq
Komponenty |
Superszybkie i wydajnie FET z GaN
Nowe tranzystory, wykonane w technologii GaN, cechują się niesamowitymi parametrami. Są nie tylko wydajniejsze od krzemowych, ale są też superszybkie. Pracować mogą nawet 100-krotnie szybciej, niż klasyczne ich odpowiedniki.
Firma Navitas Semiconductor zaprezentowała swoje najnowsze dzieło, jakim są komponenty mocy, wykonane z materiału GaN. Są to wydajne elementy FET, cechujące się niską rezystancją, na poziomie 160 mΩ.
Nowe komponenty oznaczone zostały symbolami NV6131, NV6105 oraz NV6115. Należą do linii iDrive. Pracować mogą z napięciem do 650 V. Wykonane zostały w oparciu o autorską technologię producenta: AllGaN. To co je ma wyróżniać, to niesamowita prędkość przełączania, która ma być nawet 100-razy większa, niż w przypadku komponentów krzemowych.
Nowe tranzystory iDrive mogą przyczynić się do zwiększenia częstotliwości pracy aplikacji (od 10 do 100x), a także poprawić efektywność gotowej aplikacji. Mogą też wpłynąć na obniżenie kosztów budowy aplikacji, nawet o 20%. Komponenty te mają cechować się także 5-krotnie większą gęstością mocy.
Dzięki zastosowaniu specjalnej budowy udało się znacząco zredukować straty przewodzenia, co pozwoliło na zwiększenie wydajności i możliwość pracy przy tak wysokich prędkościach przełączania. Zastosowaniem mają być różne aplikacje mocy, jak zasilacze dla urządzeń domowych, systemów LED, szybkich ładowarek, aplikacji solarnych, itd.