reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 06 października 2016

16 Gb pamięci flash w technologii 24 nm

Nowe pamięci flash od Toshiby zaprojektowano z myślą o wydajnej i efektywnej pracy w przemyśle i urządzeniach konsumenckich. Pomagać w tym mają zintegrowane funkcje korekcji błędów i technologia SLC 24 nm.
Firma Toshiba przedstawiła nowe kości pamięciowe flash, o pojemności 16 Gb, stworzone przy użyciu najnowszych technologii: NAND SLC 24 nm („Single Level Cell”). Dzięki temu, nowe kości mają być prostsze w wykorzystaniu i implementacji, także przy pracy z prostszymi mikrokontrolerami.

Nowe kości pamięciowe cechować się mają też przede wszystkim lepszą wydajnością dotyczacą odczytu i zapisu danych, a także większą trwałością i odpornością przy realizacji zapisu danych (wykorzystując 8-bitową korekcję błędów BCH) oraz możliwością pracy z szerszym zakresem temperatur.

Zastosowane technologie nie wymagają tego, by funkcje korekcji błędów (ECC) wykonywał mikrokontroler. Dzięki temu można wykorzystać prostsze układy (które nie mają kompatybilności z 8-bitowymi funkcjami ECC), jako elementy nadrzędne. Możliwości oferowane przez kości mają wpływać na redukcję BOM dla gotowej aplikacji, a także na wartość ceny/wydajność, jak podaje producent.

Komponenty te oparto na jednostkach 4x 4 Gb. Pracować mogą z napięciem od 2.7 do 3.3 V, w temperaturach od -40 do 85 stopni Celsjusza. Kości BEHAND mogą być dzięki temu wykorzystywane też w urządzeniach przemysłowych.

Znaleźć je można w obudowie TSOP o 48-wyprowadzeniach.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-1