Pamięci STT-MRAM z elementami MJT to przyszłość nowoczesnych pamięci cache

Firma Toshiba Corporation opracowała elementy MTJ („Magnetic Tunnel Junction”) dla nieulotnych kości pamięciowych STT-MRAM (magnetorezystancyjnych panięci RAM), będących przedstawicielami generacji 2Xnm. Nowe elementy wykonano w technologii 1Xnm. Nowe pamięci mają cechować jeszcze szybszą pracą i jeszcze mniejszym zużyciem energii, stanowiąc przyszłościowe wsparcie dla superszybkich i wydajnych jednostek obliczeniowych. Czas operacyjny to nie więcej niż 3 ns, pobierają przy tym prąd o natężeniu nie większym niż 100 uA. Tego typu pamięci mają wyprzeć konwencjonalne pamięci SRAM, chociażby ze względu na zużywaną energię. Elementy 1Xnm MTJ opracowano przy wykorzystaniu najnowszych technologii procesowych tego producenta. Są to tym samym pierwsze tego typu komponenty na świecie, mogące się pochwalić tak niskim zużyciem energii i taką szybkością działania. Jak podaje producent, elementy te mogą pochwalić się także bardzo niskimi błędami, czyniąc je pamięciami wysoce niezawodnymi, nawet przy pracy z prędkościami, gdzie czas wykonania operacji zapisu oscyluje w okolicach od 2 do 4 ns. Dlatego też, z racji swoich parametrów, nowe pamięci mają stanowić przyszłość jako pamięci cache dla nowoczesnych procesorów.