Bardzo wydajne MOSFETy o bardzo niskiej rezystancji Rds(ON)

Firma IXYS wprowadziła na rynek nowe tranzystory mocy MOSFET Ultra-Junction X-Class. Mają to być tranzystory cechujące się najniższą rezystancją Rds(ON), wśród komponentów w swojej klasie. Wartość tej rezystancji ma wynosić od 33 do 41 mΩ, w zależności od wariantu tranzystora (zastosowanej obudowy). Lecz to nie jedyne zalety tych komponentów. Warto też wspomnieć o bardzo niskich ładunkach bramek, a także świetnej wydajności dv/dt, jak zapewnia producent. Możliwości radzenia sobie z lawinami powinny zwiększyć wytrzymałość komponentów, a tym samym niezawodność aplikacji. Wbudowana szybka dioda zwrotna pomagać ma w zmniejszeniu strat i EMI. Komponenty te mogą pracować z napięciem do 850 V i z prądami dochodzącymi do 110 A. Mają znaleźć zastosowanie w aplikacjach o wysokiej wydajności, jak np. systemy sterowania i zasilania silnikami DC i AC, konwertery DC/DC, ładowarki samochodowe, falowniki/inwertery przy źródłach energii odnawialnej, itp. Komponenty te (w różnych wariantach ze względu na obsługiwane prądy, od 20 do 110 A) można będzie znaleźć w obudowach: TO-220, TO-263HV, SOT-227, TO-247, TO-264, PLUS264 oraz TO-268HV.