reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 29 września 2016

Bardzo wydajne MOSFETy o bardzo niskiej rezystancji Rds(ON)

Nowe wysoce wydajne tranzystory MOSFET od IXYS cechuje wysoka wydajność (do 110 A), przy zapewnieniu bardzo niskiej wartości Rds(ON), a także świetnych wartości dv/dt i niskiego ładunku bramki.
Firma IXYS wprowadziła na rynek nowe tranzystory mocy MOSFET Ultra-Junction X-Class. Mają to być tranzystory cechujące się najniższą rezystancją Rds(ON), wśród komponentów w swojej klasie.

Wartość tej rezystancji ma wynosić od 33 do 41 mΩ, w zależności od wariantu tranzystora (zastosowanej obudowy). Lecz to nie jedyne zalety tych komponentów. Warto też wspomnieć o bardzo niskich ładunkach bramek, a także świetnej wydajności dv/dt, jak zapewnia producent.

Możliwości radzenia sobie z lawinami powinny zwiększyć wytrzymałość komponentów, a tym samym niezawodność aplikacji. Wbudowana szybka dioda zwrotna pomagać ma w zmniejszeniu strat i EMI.

Komponenty te mogą pracować z napięciem do 850 V i z prądami dochodzącymi do 110 A. Mają znaleźć zastosowanie w aplikacjach o wysokiej wydajności, jak np. systemy sterowania i zasilania silnikami DC i AC, konwertery DC/DC, ładowarki samochodowe, falowniki/inwertery przy źródłach energii odnawialnej, itp.

Komponenty te (w różnych wariantach ze względu na obsługiwane prądy, od 20 do 110 A) można będzie znaleźć w obudowach: TO-220, TO-263HV, SOT-227, TO-247, TO-264, PLUS264 oraz TO-268HV.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2