64-warstwowe pamięci 3D Flash Toshiby o dużej pojemności

Firma Toshiba przedstawiła informacje o swoich nowych pamięciach Flash. Mowa tu o trójwymiarowych pamięciach, wykorzystujących 64-warstwy z komórkami pamięciowymi, co pozwala uzyskać bardzo duże pojemności. Pamięci te wykorzystują tym samym technologię BiCS (której zawdzięczamy możliwość tworzenia takiego układu pamięci) oraz TLC („triple level cell” - 3 bity na komórkę). Dzięki temu już teraz udało się stworzyć kości pamięciowe, których pojemność sięga aż 256 Gb. Jest to jednak tylko pierwszy etap dla tej generacji pamięci Flash (wypierając technologię pamięci o 48-warstwach), bowiem już wkrótce mają się pojawić pamięci, również o 64-warstwach, lecz o pojemności dwukrotnie większej – 512 Gb. Ulepszone technologie pamięciowe pozwalają zwiększyć pojemność o 40%, jak podaje producent, w stosunku do poprzednich generacji. Zastosowaniem mają być głównie urządzenia powszechnego użytku, takie jak smartfony, dyski SSD, tablety, karty pamięciowe, itd. Masowa produkcja nowych pamięci przewidziana jest na pierwszą połowę przyszłego roku (tj 2017).