MOSFETy SiC na temperatury 225 stopni Celsjusza

Firma TT Electronics wprowadziła na rynek nowe tranzystory MOSFET wykonane w technologii SiC, zaprojektowane z myślą o wydajnej pracy w wysokich temperaturach. Nowe komponenty oznaczone zostały symbolem SML25SCM650N2B. Dzięki możliwości pracy w temperaturach dochodzących do 225 stopni Celsjusza, komponentom tym nie straszne trudnego warunki pracy, takie jak chociażby praca w bliskim sąsiedztwie silnika spalinowego. To co je ma dodatkowo wyróżniać to wysoka wydajność. Mogą pracować z napięciami do 650 V i z prądem o natężeniu do 25 A. Tranzystory te cechować się mają ponadto niskimi stratami i niską rezystancją termiczną, jak również możliwością szybkiego przełączania. Ma to stanowić przewagę nad typowymi komponentami krzemowymi. Komponenty te są w stanie pracować z mocą do 90 W. Zamknięto je w hermetycznej obudowie SMD1, wykonanej z ceramiki.