reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 04 maja 2016

UltraMOS o małych stratach i dużej wydajności

Nowe tranzystory MOSFET od firmy Central Semiconductors zamknięto w typowej obudowie TO-200. Parametrami nie są jednak typowe, gdyż cechują się małymi stratami, a przez to wysoką wydajnością.
Firma Central Semiconductors przedstawiła swoje nowe tranzystory MOSFET, określane mianem UltraMOS. Mają być to komponenty bardzo wydajne ze względu na niski poziom strat. Są to też komponenty, które mogą pracować z napięciem do 800 V.

CDM22012-800LRFP to oznaczenie nowych tranzystorów tego producenta, które pracować mogą z wydajnością do 12 A. Zamknięte zostały w obudowie TO-220FP („Full Pack”). To co je ma wyróżniać to małe straty.

Mowa tu min. o niskiej wartości rezystancji Rds(ON) wynoszącej 0.37 Ω, a także niskiemu ładunkowi bramki 7.6 nC. To głównie te dwa parametry mają definiować bardzo dobre charakterystyki wydajnościowe tych tranzystorów.

Mogą być wykorzystywane w różnego rodzajach zasilaczach (jak podaje producent, dobrze też będą współpracować z prostownikami HyperFast), w tym w falownikach i aplikacjach PFC („Power Factor Corrrection”). W niedługim czasie pojawić się ma także nieco słabsza wersja tego tranzystora, przeznaczona do pracy z prądem do 6 A, dla mniej wymagających aplikacji.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-2