reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© franz pfluegl dreamstime.com Komponenty | 15 kwietnia 2016

Innowacyjne pamięci z Embedded World 2016

Nowe technologie są odpowiedzią na problemy użytkowników z trwałością układów MLC i ceną układów SLC.
W asortymencie firmy Innodisk, producenta pamięci RAM i masowych pamięci półprzewodnikowych, pojawiły się nowe rozwiązania produktów, które mogą zrewolucjonizować rynek. Nowe technologie są odpowiedzią na problemy użytkowników z trwałością układów MLC i ceną układów SLC. Zespół inżynierów Innodiska długo pracował nad finalnym wdrożeniem projektów, starając się dostarczyć na rynek kompletny pod każdym względem produkt. Po walidacji rozwiązań producent ostatecznie przedstawił swoje dwie nowe technologie podczas targów Embedded World 2016 w Norymberdze - 3ME3 i 3IE3.

3ME3 / 3IE3

Rewolucyjność tego rozwiązania polega na zastosowaniu architektury DRAM-less, która nie korzysta z buforowania danych. Pozbywamy się w ten sposób problemów z integralnością danych w sytuacji zaniku napięcia, co było częstym problemem w systemach z buforem DRAM. Nie wpływa to również na pogorszenie parametrów przepustowości dla cyklów zapisu/odczytu, co jest na pewno miłą niespodzianką. Dodatkowo został wdrożony algorytm TRIM, który porządkuje dane zapisane w pamięci i redukuje ilość cykli zapisu na nośnik, co znacznie wydłuża żywotność produktu. Wszystkie formaty dysków są już dostępne w wersji 3ME3, są tańsze i lepsze w porównaniu ze standardowymi pamięciami MLC, również z uwagi na zastosowanie chipów 15nm.

Wychodząc naprzeciw oczekiwaniom rynku Innodisk stworzył własny standard zapisu/odczytu danych, zwany iSLC. Realizowany jest on na kościach MLC, jednak działa na zasadzie SLC.



Dwa bity informacji w komórce są konwertowane za pomocą wewnętrznego algorytmu na pojedynczy bit, co pozwala emulować pamięć SLC na kościach MLC. iSLC nie pozwala wprawdzie osiągnąć parametrów R/W (read/write cycles) i P/E (program/erase cycles) standardu SLC, jednak coraz bardziej się do nich zbliża. Poniżej wykres porównujący cykl życia przy maksymalnej obciążalności poszczególnych chipów



W rozwiązaniu 3IE3, podobnie jak w 3ME3, zrealizowano architekturę DRAM-less wspartą algorytmem TRIM. Pozwoliło to na uzyskanie porównywalnych parametrów R/W i P/E z pamięciami SLC w standardzie SATA II, przy znacznie niższej cenie.

© Innodisk, Maritex

Artykuł opublikowano dzięki uprzejmości firmy Maritex
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-1