reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 29 lutego 2016

Pamięci V-NAND Flash o pojemności 256 GB

Nowe kości pamięciowe o pojemności 256 GB cechują się wysoką wydajnością, zwłaszcza w kwestii szybkości odczytywania danych. Zwiększono także liczbę operacji we/wy.
Firma Samsung ogłosiła, że rozpoczyna produkcję nowych kości pamięciowych przeznaczonych do urządzeń mobilnych. Mowa tu o kościach Flash typu V-NAND. Mają to być pierwsze tego typu pamięci na świecie.

Komponenty te cechują się bowiem pojemnością wynoszącą aż 256 GB. Są przy tym zgodne ze standardem UFS 2.0 i mają trafić do urządzeń z wyższej (i być może później też i średniej) półki cenowej. Na uwagę zasługuje także wysoka wydajność tych modułów.

Porównywalna ma być z kościami stosowanymi w dyskach SSD średniej klasy. Prędkość odczytu (sekwencyjnego) wynosić ma 850 MB/s. Prędkość zapisu jest tu jednak sporo mniejsza i wynosi 260 MB/s.

Nowe kości pamięciowe Samsunga osiągnęły wyniki 45000 IOPS przy odczycie i 40000 IOPS podczas operacji zapisywania. To ponad 2x więcej, niż poprzednie generacje kości pamięciowych tego producenta. Dzięki dużej wydajności przy odczytywaniu, producent zapewnia, że nie będzie problemu przy wykonywaniu kilku zadań jednocześnie w urządzeniach docelowych.

Na razie nie podano informacji jakie urządzenia zostaną wyposażone w nowe kości pamięciowe, ale można się spodziewać, że będą to flagowce tego samego producenta wydane w tym roku.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-1