reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© tugores34_dreamstime.com Rynek komponentów | 30 grudnia 2015

Układy DRAM w 18 nm wejdą do produkcji w 2016 roku

Samsung, Micron i SK Hynix zamierzają w 2016 roku wprowadzić do masowej produkcji układy DRAM wykonane w technologii 18 nm.
Samsung opracował już technologię 1X-nano DRAM i obecnie weryfikuje możliwość wprowadzenia układów do masowej produkcji, która miałaby zostać uruchomiona w pierwszym kwartale 2016 roku. Produkcja układów DRAM w 20 nm rozpoczęła się w marcu 2014 roku.

SK Hynix ściga rywala i zamierza zakończyć opracowywanie technologii 1X-nano w pierwszej połowie przyszłego roku, a do końca 2016 roku ruszyć z masową produkcją. SK Hynix w 2016 roku zwiększy także wytwarzanie pamięci DRAM w 20 nm.

Plany Micronu są niemal identyczne: w 2016 roku firma chce rozwinąć produkcję układów DRAM w 20 nm i ruszyć z produkcją w technologii 1X-nano.

Źródło: CDR Info

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
January 19 2017 19:48 V7.8.3-1