© Evertiq
Komponenty |
Niewielkie MOSFET-y typu P jeszcze wydajniejsze
Nowe tranzystory MOSFET z kanałem typu P poprawiono pod kilkoma względami, które powodują, że w porównaniu do innych podobnych komponentów, cechują się niższymi stratami, a przez to większą efektywnością.
Firma Diodes Incorporated zaprezentowała dwa nowe tranzystory MOSFET z kanałem typu P, oznaczone symbolami DMP1022UFDF oraz DMP2021UFDF. Różnią się napięciem z jakim mogą pracować. Wynosić ma ono odpowiednio 12 i 20 V.
Przeznaczone są do urządzeń przenośnych, w systemach zasilających i zarządzaniu pracą akumulatorów. Mają przyczynić się do uproszczenia układów, bez obawy o pogorszenie się parametrów wydajnościowych, czy też zwiększenie się strat.
Komponenty te mogą pracować w systemach o wysokiej wydajności. Cechują się bardzo dobrymi parametrami, mogącymi wpływać na wspomniane straty. Przykładowo, Rds(ON) wynosić ma 20 i 26 mΩ, przy sterowaniu napięciem -2.5 i -1.8 V, odpowiednio.
Oba tranzystory zamknięto w niewielkiej obudowie DFN2020,o wymiarach 2 na 2 mm i o wysokości zaledwie 0.6 mm. Rezystancja termiczna tych elementów nie powinna przekroczyć 10 K/W. Pozwoli to na efektywne odprowadzenie ciepła, co z kolei ma wpływać na zwiększenie żywotności komponentu.
Dostać je będzie można w cenie od 0.16 i 0.26 USD odpowiednio, przy zamówieniach na 1000 sztuk.
