reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© kornwa dreamstime.com Technologie | 14 grudnia 2015

Nowa jakość układów zasilających dzięki półprzewodnikom GaN i SiC

Podczas tegorocznej konferencji ISSCC poruszono temat nowych półprzewodników WBG (Wide Bandgap). Osiągają one zdecydowanie bardziej zadowalające parametry pracy niż tradycyjne układy krzemowe i mogą odegrać ogromną rolę w rozwoju elektroniki.
Bloki zasilające stają się coraz bardziej powszechne i są obecnie stosowane w prawie każdym elektrycznym i elektronicznym systemie, poczynając od inwerterów, które łączą panele słoneczne i turbiny wiatrowe z siecią energetyczną, a kończąc na pojazdach elektrycznych, silnikach przemysłowych czy zasilaczach do laptopów. Przez prawie 50 lat, krzemowe układy scalone było podstawą obwodów zasilających. Jednakże wraz z rozwojem technologii czystej energii, a także przemysłu elektronicznego, układy te napotkały ograniczenia związane z konwersją mocy, przejawiające się nadmiernym nagrzewaniem, a także wyższą konsumpcją energii.

Półprzewodniki WBG (Wide Bandgap), takie jak azotek galu (GaN) czy węglik krzemu (SiC), mają szansę to zmienić. W porównaniu do półprzewodników krzemowych, WBG mogą pracować w wyższych temperaturach, przy wyższych częstotliwościach i napięciach – przyczyniając się do eliminacji problemu dużych strat mocy podczas konwersji elektrycznej.

Obecnie technologie GaN i SiC, szczególnie w urządzeniach zasilających, stają się w pełni wykształconymi rozwiązaniami. Przykładem mogą być błyskawicznie podbijające rynek wysokonapięciowe diody SiC, cenione ze względu na niższe straty mocy i wyższą prędkość działania. Z kolei przełączniki GaN zostały wprowadzone do kompaktowych przetworników DC/DC czy inwerterów dedykowanych dla urządzeń o niskim poborze mocy, ze względu na ich dużą szybkość działania, która jest pożądaną cechą również w układach o małych rozmiarach.

ISSCC (International Solid-State Circuit Conference) to jedno z najważniejszych cyklicznych wydarzeń Doliny Krzemowej. Corocznie odwiedza ją około 3.000 konstruktorów, a swoje osiągnięcia prezentują czołowe firmy naszej branży. Najbliższa edycja będzie miała miejsce od 31 stycznia do 4 lutego 2016, a swoje najnowsze prace przedstawią Intel, NCC, NXP, Xerox, Broadcom i dziesiątki innych.
W sytuacji gdy urządzenia zasilające GaN rozszerzają domenę swoich zastosowań, coraz bardziej wzrasta znaczenie wspierających je układów blokowych, takich jak wyspecjalizowane, zintegrowane sterowniki bramek, izolatory zasilania i sygnałów ultraszybkich, a także wysokoczęstotliwościowe elementy pasywne, które pomagają w pełni wykorzystać prędkości działania półprzewodników GaN

Źródło: ISSCC
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2