Odporniejsze i żywotniejsze IGBT od Infineon

Firma Infineon poprawiła swoje tranzystory IGBT. Nowe komponenty zostały ujęte jako nowa rodzina S5 (S jak „soft”). Oparte zostały na technologii TrenchStop 5 IGBT. Mają znaleźć zastosowanie w aplikacjach przemysłowych, jak np. konwersja energii AC/DC, falowniki fotowoltaiczne, UPS, itd. Nowe komponenty poprawiono pod względem wydajnościowym. Jak podaje producent, ich sprawność udało się poprawić o kilka procent. Uwagę ma zwracać też poprawiona żywotność i odporność przy pracy w trudnych warunkach. Ich czas pracy wynosić ma nawet 20 lat, jak czytamy w notatce producenta. Konstrukcja tych tranzystorów ma pozwolić także na nieznaczne uproszczenie aplikacji i redukcję kosztów. Nie ma potrzeby stosowania dodatkowych kondensatorów, czy diod Zenera, jak podaje producent. Napięcie nasycenia VCE(sat) wynosić ma 1.6 V przy 175 stopniach Celsjusza. Tranzystory te mają zachowywać wysoką efektywność także podczas przy w wysokich temperaturach. Dostępne mają być w obudowach TO-247. Oferowane są wersje obsługujące prądy: 30, 40, 50 i 75 A.