© Evertiq
Komponenty | 01 października 2015
Super wydajne tranzystory GaN 650 V, 100 A
Nowe tranzystory wykonane w technologii GaN i Island cechują się wysoką efektywnośćią. W stosunku do MOSFET'ów i IGBT mają być wielokrotnie od nich mocniejsze i wydajniejsze.
GaN Systems z Kanady przedstawiło nowe tranzystory oznaczone jako GS66540C. Są to komponenty wysokiej mocy pokazane na 17 Konferencji EnergoElektroniki (17th Conference of Power Electronics and Application).
Tranzystory te wykonano w technologii GaN i nowo opracowanej technologii Island. Pozwoliło to na osiąganie niezwykłej wydajności i efektywności przy szybkim przełączaniu (>100 V/ns) i ultra niskim poziomie strat cieplnych.
Komponenty te pracować mogą z napięciem do 650 V i prądem do 100 A. Całość umieszczono w specjalnych obudowanych, które byłyby w stanie sprostać pracy z takimi prądami. Mowa tu o obudowie oznaczonej jako GaNPX. Całość pomyślano tak, by nie tylko radziło sobie z problemami gospodarki cieplnej, ale też minimalizowało indukcję i było wytrzymałe mechanicznie, co przydać się może w aplikacjach przemysłowych oraz motoryzacyjnych.
Korzyści w stosunku do tranzystorów MOSFET i IGBT mają być znaczne, zwłaszcza w stosunku sprawności przełączania, przewodzenia i strat z tego wynikających. Jak podaje producent, poprawa w stosunku do tych technologii, wynosić ma nawet 450% dla nowych tranzystorów GaN.
Tranzystory te wykonano w technologii GaN i nowo opracowanej technologii Island. Pozwoliło to na osiąganie niezwykłej wydajności i efektywności przy szybkim przełączaniu (>100 V/ns) i ultra niskim poziomie strat cieplnych.
Komponenty te pracować mogą z napięciem do 650 V i prądem do 100 A. Całość umieszczono w specjalnych obudowanych, które byłyby w stanie sprostać pracy z takimi prądami. Mowa tu o obudowie oznaczonej jako GaNPX. Całość pomyślano tak, by nie tylko radziło sobie z problemami gospodarki cieplnej, ale też minimalizowało indukcję i było wytrzymałe mechanicznie, co przydać się może w aplikacjach przemysłowych oraz motoryzacyjnych.
Korzyści w stosunku do tranzystorów MOSFET i IGBT mają być znaczne, zwłaszcza w stosunku sprawności przełączania, przewodzenia i strat z tego wynikających. Jak podaje producent, poprawa w stosunku do tych technologii, wynosić ma nawet 450% dla nowych tranzystorów GaN.
Wysoce stabilny wzmacniacz dla zasilaczy
Nowy wzmacniacz od Analog Devices oferuje świetną stabilność i odpowiedź czasową...
Jeszcze szybsze DSP od Cadence
Nowe procesory DSP od Cadence, w stosunku do poprzedników, zostały...
Nanoczujniki od Insplorion do monitorowania stanu akumulatorów
Ochrona klimatu i zrównoważona polityka energetyczna to obecnie najwyższe priorytety dla każdego kraju, dlatego przejście na odnawialne źródła energii jest dzisiaj koniecznością. Akumulatory są jednym z ważniejszych...
PSA – framework do budowy bezpiecznych aplikacji IoT
Bezpieczeństwo w IoT jest ważnym zagadnieniem, z którym zmaga się wielu...
Superkondensatory o grubości zaledwie 0.9 mm
Nowe, bardzo cienkie superkondensatory zaprezentowała firma Cap-XX...
Wytrzymałe wyświetlacze 7-segmentowe SMD
Nowe wyświetlacz 7-segmentowe LED przeznaczone do montażu SMD...
MPU RZ/G1C dla aplikacji HMI
Nowe MPU od Renesas, stworzone z myślą o aplikacjach HMI, posiadać mają wszystko co...
Liderzy w branży półprzewodników zwiększają swoje udziały w...
W ciągu ostatniej dekady zmiany te zdecydowanie przyspieszyły, a w ubiegłym roku TOP 25 firm...
Super mocne impulsy świetle z diod LED IR od Osram
Nowe diody LED od Osram są w stanie obsłużyć impulsy prądowe o natężeniu nawet 5 A...
Mouser dystrybutorem Altitude
Mouser Electronics podpisał globalną umowę dystrybucyjną z firmą Altitude Technology...
Implant, który zmierzy jak wiele wypiłeś
Naukowcy z San Diego opracowali ciekawy sensor, który może samodzielnie...
Małe oraz okrągłe wyświetlacze OLED dla urządzeń noszonych
Nowe wyświetlacze OLED od Midas Displays oferować mają świetną czytelność, nawet w...
Super dokładność i zasięg – nowa technologia LiDAR od Toshiby
Toshiba bierze czynny udział w tworzeniu niezawodnych i bezpiecznych systemów autonomicznego sterowania pojazdami. Ich nowa technologia LiDAR ma sprawić, że ‘oczy samochodów’ będą lepiej dostrzegać małe obiekty i będą...
Samozasilający sensor obrazu
Naukowcy z Uniwersytetu Michigan opracowali niezwykły sensor. Jest to układ, który jest...
Energooszczędny wzmacniacz zero-drift
Nowy wzmacniacz klasy zero-drift od Linear Technology świetnie nada się do wielu...
EBS z umową dystrybucyjną w Brazylii
Polska firma z branży systemów zabezpieczeń podpisała umowę z brazylijskim partnerem...
Sensor obrazu z NIR+, czyli świetna jakość obrazu w ciemnościach
Dzięki technologii NIR+w nowych sensorach CMOS, bazujących na BSI, zainteresowani będą mogli...
Wybór właściwej sondy oscyloskopowej
Pasmo przenoszenia to w zasadzie najważniejszy parametr oscyloskopu, jeśli...
Aluminiowe kondensatory polimerowe, znacznie żywotniejsze od...
Nowe kondensatory polimerowe od Vishay cechują się dużo większą żywotnością od swoich...
Ultra energooszczędny akcelerator sztucznej inteligencji w nowej technologii Toshiby
Standardowe procesory występujące w telefonach, laptopach i komputerach stacjonarnych nie są dostosowane do wymagań uczenia maszynowego, a próba ich wykorzystania kończy się powolną obsługą i szybką...
Artykuły, które mogą Cię zainteresować
Most Read
Załaduj więcej newsów
Komentarze