GaN Systems z Kanady przedstawiło nowe tranzystory oznaczone jako GS66540C. Są to komponenty wysokiej mocy pokazane na 17 Konferencji EnergoElektroniki (17th Conference of Power Electronics and Application).

Tranzystory te wykonano w technologii GaN i nowo opracowanej technologii Island. Pozwoliło to na osiąganie niezwykłej wydajności i efektywności przy szybkim przełączaniu (>100 V/ns) i ultra niskim poziomie strat cieplnych.

Komponenty te pracować mogą z napięciem do 650 V i prądem do 100 A. Całość umieszczono w specjalnych obudowanych, które byłyby w stanie sprostać pracy z takimi prądami. Mowa tu o obudowie oznaczonej jako GaNPX. Całość pomyślano tak, by nie tylko radziło sobie z problemami gospodarki cieplnej, ale też minimalizowało indukcję i było wytrzymałe mechanicznie, co przydać się może w aplikacjach przemysłowych oraz motoryzacyjnych.

Korzyści w stosunku do tranzystorów MOSFET i IGBT mają być znaczne, zwłaszcza w stosunku sprawności przełączania, przewodzenia i strat z tego wynikających. Jak podaje producent, poprawa w stosunku do tych technologii, wynosić ma nawet 450% dla nowych tranzystorów GaN.