Pamięć NAND w technologii TSV ze stosem 16 matryc

Firma Toshiba Corporation przedstawiła swoje najnowsze pamięci Flash NAND zbudowane w oparciu o technologię TSV („Through Silicon Via”). Pozwoliła ona na znaczne zwiększenie gęstości komórek pamięci, a tym samym znaczne zwiększenie jej pojemności. Wynosić ona może nawet 256 GigaBajtów. Nowa technologia pozwoliła umieścić na stosie aż 16 matryc komórek pamięciowych. Jest to jak na razie prototyp. Firma Toshiba zapewnia, że udało im się przezwyciężyć problemy, jakie z początku dostarczała ta technologia, umiejscawiania matryc w stos. Prędkość obsługiwana przez te pamięci to około 1 Gbps. Jest to jednak dużo, a nawet więcej niż oferują inne niskonapięciowe pamięci NAND Flash dostępne obecnie na rynku. Rdzeń obsługujący pamięć wymaga zasilania 1.8 V, zaś porty I/O mogą pracować już przy napięciu 1.2 V. Ma to dawać oszczędność w zużyciu energii nawet o 50%, w porównaniu do innych rozwiązań. Komponenty te wykorzystują interfejs Toggle DDR. Zamknięto je w obudowie o wymiarach 14 na 18 mm. Zależnie od wybranej wersji pojemności różnią się wysokością. Najbardziej pojemna wersja ma mieć wysokość 1.9 mm. Pamięci te są już w pełni funkcjonalne i producent zapewnia o ich wysokiej efektywności i przydatności w szerokim zakresie zastosowań, w tym dyskach SSD. Nie podano jednak kiedy nowe pamięci trafią na rynek do sprzedaży.