reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 25 sierpnia 2015

Monolityczne tranzystory GaN na 2 MHz

Nowe tranzystory od EPC mają zmniejszyć wymiary gotowej aplikacji, dzięki wysokiej efektywności (m.in. za sprawą najnowszych technologii GaN). Pracować mogą z wysoką częstotliwością, niwelując wpływ pasm AM.
Firma EPC przedstawiła nowe tranzystory mocy wykonane w technologii GaN, oznaczone symbolem EPC2106. Przeznaczone są do pracy z częstotliwością przełączania 2 MHz, co ma spowodować, że będą zupełnie niewrażliwe na zakłócenia z pasma AM.

Komponenty te pracowac mogą z napięciem do 100 V i posiadają rezystancję 55 mΩ. Zaletą jest też niska pojemność poniżej 600 pF. Maksymalny, chwilowy prąd drenu wynosić może nawet 18 A, jak podaje producent.

Niska wartość rezystancji i pojemności zwiększa efektywność pracy komponentów i zmniejsza straty oraz zakłócenia, zwłaszcza przy zastosowaniu ich w systemach klasy D (Class-D Systems).

Tranzystory te dostępne są w obudowie o wymiarach 1.35 na 1.35 mm i obudowie klasy CSP. Ma to poprawić efektywność pracy komponentu i wydajność termiczną. Zastosowaniem mogą być aplikacje związane z konwersją energii, jak np. półmostki H. Tranzystory te, dzięki wysokiemu stopniowi integracji i wysokiej efektywności pomogą zmniejszyć wymiary gotowej aplikacji.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-2