48-warstwowe pamięci BiCS Flash 256 Gb

Firma Toshiba przedstawiła nową generację pamięci BiCS Flash. Są to pamięci o trójwymiarowej strukturze w formie 48-warstw. Nowa architektura pozwoliła na osiągnięcie pojemności 256 Gb (32 GB) dla pojedynczego układu. Technologia BiCS Flash miała swoją prezentację w 2007 roku i od tamtego czasu była udoskonalana i optymalizowana do tego, by wdrożyć ją do masowej produkcji do roku 2016. Nowe pamięci mają znaleźć swoje miejsce w urządzeniach, gdzie wymaga się bardzo dużych pojemności, jak np. dyski SSD. Wbudowana technologia TLC („triple level cell”), czyli 3-bitów na komórkę pamięciową, zwiększa ich niezawodność. Nowe kości pamięciowe trafić mają także do tabletów, smartfonów, itd. Pierwsze komponenty pojawią się w sprzedaży we wrześniu 2015 roku.