reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 11 sierpnia 2015

Wysoce wydajne tranzystory MOSFET w miniaturowym wydaniu

Firma IR wypuściła na rynek nową serię tranzystorów StrongIRFET, które znane już wcześniej były z wysokiej efektywności (teraz do 217 A). Teraz dostępne są w mniejszych obudowach o wysokiej wydajności i niskiej rezystancji termicznej.
Firma Infineon również wprowadza na rynek nowe miniaturowe tranzystory MOSFET o wysokiej efektywności energetycznej. Nowe komponenty IR StrongIRFET przeznaczone są do systemów energetycznych operujących na prądzie stałym, wliczając w to układy zasilania z akumulatorów, sterowniki silników szczotkowych, jak i bezszczotkowych, itd.

Nowe komponenty linii StrongIRFET przeznaczone są do pracy w systemach od 40 do 75 V. Cechować je ma niska wartość rezystancji Rds(ON) (od 0.9 do 5.7 mΩ, zależnie od wybranej wersji), co pomagać ma w redukcji strat przewodzenia, obsługa stosunkowo dużych prądów i specjalna konstrukcja, która zapewniać ma wysoką niezawodność.

Całość udało się zamknąć w niewielkiej obudowie Medium Can DirectFET. Zapewnia ona chłodzenie z dwóch stron, co pozwoliło nie tylko na zmniejszenie gabarytów przy jednoczesnym zwiększeniu gęstości energii przez nie obsługiwanych (obsługa prądów Id od 217 do 89 A), ale też poprawiło wydajność termiczną.

Ostatni parametr udało się poprawić także dzięki relokacji wyprowadzenia bramki do samego rogu, zmniejszając rezystancję termiczną komponentu w połączeniu z płytką. Zwiększa się wydajność, jak również elastyczność i skalowalność, jak podaje producent.

Szczegółowe parametry dostępne na stronie producenta: LINK
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-2