reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 06 sierpnia 2015

IGBT 650 V na 20 kHz

Nowe IGBT od STM wykorzystują najnowsze technologie trench-gate, oraz pionowe struktury P-N-P, dla osiągania najwyższej wydajności. Pracować mogą niezawodnie z wysokimi częstotliwościami.
Firma STMicroelectronics wprowadziła na rynek nowe tranzystory IGBT, cechujące się nie tylko poprawioną efektywnością, ale możliwością wydajnej pracy z prędkością przełączania 20 kHz. Nadadzą się do wszystkich aplikacji konwertujących energię, gdzie wykorzystuje się twarde przełączanie („hard-switching”).

Tranzystory bazują na trzeciej generacji technologii trench-gate field-stop, która sprawia, że komponenty te cechują się niskim poziomem strat. Nową serię oznaczono literką „M”. Oprócz zastosowania nowoczesnej technologii trench-gate, w tranzystorach tych wykorzystano specjalnie zaprojektowane pionowe struktury P-N-P.

Sprawia to, że komponenty te osiągają najwyższą wydajność generując bardzo małe straty, także podczas pracy z częstotliwościami do 20 kHz. Mogą też oprzeć się krótkotrwałym (6 us) zwarciom, jak i wysokim temperaturom (do 175 stopni Celsjusza). Wraz z szerokim SOA, zapewniać ma to wysoką żywotność i niezawodność, także podczas pracy w trudnych warunkach.

Dostępne są też wersje ze zintegrowanymi szybkimi diodami zwrotnymi, co poprawić ma pracę przy szybkim przełączaniu, a także zwiększy odporność na zakłócenia. Dodatni współczynnik temperaturowy ma pozwolić na równoległą pracę kilku takich komponentów.

Seria M, mogąca pracować z napięciem do 650 V dostępna ma być w różnych wariantach, obsługując prądy od 10 do 30 A. Znaleźć je będzie można w obudowach: TO-220, D2PAK i TO-247. Ceny zaczynać się mają od 1 USD.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-2