reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 05 sierpnia 2015

Tranzystory 900 V SiC od Cree

Nowoczesna konstrukcja tranzystorów MOSFET SiC od Cree sprawia, że bardzo niska wartość Rds(ON) nie wzrasta znacząco przy wzroście temperatury, jak to ma miejsce u konkurencji, jak podaje producent.
Firma Cree przedstawiła swoje najnowsze tranzystory MOSFET wykonane w technologii SiC, przeznaczone na napięcie 900 V. Mają tym samym wypełnić lukę na rynku. Przeznaczeniem są głównie aplikacje związane z przetwarzaniem energii dużych mocy, jak falowniki z systemów energii odnawialnej, systemy ładowania pojazdów EV, przemysłowe zasilacze trójfazowe, itp.

Czołowym przedstawicielem nowej rodziny ma być układ oznaczony symbolem C3M0065090J, jak czytamy w notatce producenta. Tranzystory te wykonano przy użyciu najnowszych technologii SiC.

Zaprojektowano je z myślą o zmniejszeniu zajmowanego przez nie miejsca, dając możliwość budowania aplikacji jeszcze mniejszych. Cechuje je rezystancja na poziomie 65 mΩ, co jak podaje producent, jest wartością najniższą wśród wszystkich tranzystorów 900 V dostępnych na rynku.

Obecnie stosowane technologie krzemowe posiadają pewne ograniczenia, zwłaszcza przy pracy z wysokimi częstotliwościami. Zwiększają się straty przełączania. Co więcej, Rds(ON) znacznie wzrasta (nawet 3-krotnie) przy wzroście temperatury. Propozycja Cree ma ograniczać ten efekt wzrostu rezystancji, co pozwala zmniejszyć wymiary części aplikacji odpowiedzialnej za odprowadzanie ciepła.

W temperaturze 25 stopni Celsjsza wartość rezystancji wynosić ma 65 mΩ, jak wspomnieliśmy wcześniej. Przy temperaturze złącza 150 stopni Celsjusza, wartość ta wzrasta jedynie do 90 mΩ. Dostępne mają być w obudowach: TO247-3, TO220-3 i D2PAK-7L (która to zapewniać ma najniższą impedancję).
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2