reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 08 czerwca 2015

Tranzystory z kanałem P z niższą rezystancją Rds(ON)

Nowe tranzystory z kanałem P od Toshiby opracowano według nowego projektu i technologii U-MOS VI, co pozwoliło zmniejszyć straty podczas przewodzenia. Sprzyjają temu także miedziane wyprowadzenia.
Firma Toshiba Electronics Europe przedstawiła nowe tranzystory MOSFET z kanałem typu P, przeznaczone na napięcie -40 V. Są to wydajne komponenty, które mają znaleźć swoje zastosowanie w m.in. w aplikacjach motoryzacyjnych.

Oznaczone zostały jako TJ200F04M3L. Posiadają usprawnioną konstrukcję, której projekt pozwolił zmniejszyć straty podczas przewodzenia. Wykorzystano tu też technologię producenta U-MOS VI (trench).

Niską wartość Rds(ON) połączono też z niską przewodnością samych wyprowadzeń, które wykonano z miedzi. Rds(ON) ma nie przekraczać 1.8 mΩ (przy Vgs = 10 V). Obsługiwany prąd przewodzenia to maksymalnie 200 A.

Maksymalna temperatura operacyjna to 175 stopni Celsjusza. Zamknięte zostały w obudowie TO-220SM. Posiadają kwalifikację AEC-Q101.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
January 13 2017 11:14 V7.8.0-2