reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 22 maja 2015

Potężne IEGT od Toshiby o poprawionej efektywności

Nowe moduły IEGT łączą w sobie wydajny tranzystor i diodę zwrotną. Całość pozwala na sterowanie bardzo dużymi prądami. Są to jednak moduły stosunkowo niewielkie, a także elastyczne (praca w temperaturze do 150 st.C).
Firma Toshiba Electronics wprowadziła na rynek nowe moduły IEGT (ang. „injection-enhanced gate transistor”) przeznaczonych do pracy z bardzo dużymi mocami. Obsługiwany może być prąd o natężeniu 1200 A i napięcie do 4500 V. Przeznaczeniem są systemy sterowania silnikami dużych mocy (np. kolejowe), czy też systemy energii odnawialnej.

Plastikowe moduły łączą w sobie tranzystory IEGT (z kanałem typu N) oraz diodę FRD, dla zwiększenia efektywności, a co za tym idzie także zmniejszenie wymiarów oraz wagi tych komponentów. Całość udało się zamknąć w obudowie o wymiarach 140 na 190 mm.

Opisywany moduł oznaczono symbolem MG1200GXH1US61. Oferowana izolacja wytrzymać powinno napięcie 6000 VAC (RMS, przez minutę). Maksymalny chwilowy prąd wyłączenia, jaki moduł jest w stanie przetrzymać wynosi 2400 A.

Zdolność do rozpraszania ciepła po stronie kolektora wynosić ma 4000 W przy 25 stopniach Celsjusza. Układ jest w stanie efektywnie pracować w temperaturze od -40 do 150 stopni Celsjusza. Pozwala to na stosowanie go w szerokim zakresie aplikacji.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
December 08 2016 23:17 V7.6.3-2