reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq
Komponenty |

Asynchroniczne pamięci SRAM 4 Mb z ECC

Nowe kości pamięciowe SRAM i pojemności 4 Mb integrują w sobie funkcję ECC, która pozwoli na znaczne poprawienie ich niezawodności (SER = 0.1 FIT/Mb), zwłaszcza w aplikacjach, gdzie jest to istotne.

Firma Cypress Semiconductor przedstawiła swoje nowe kości pamięci SRAM o pojemności 4 Mb. Są to elementy cechujące się wysoką niezawodnością bez konieczności używania dodatkowych chipów realizujących funkcje korekcji błędów. Komponenty te bowiem posiadają już w swojej strukturze zaimplementowaną funkcję ECC. Pozwala to na uproszczenie krytycznych aplikacji, gdzie niezawodność jest jedną z najważniejszych ich cech. Przykładem mogą być urządzenia przemysłowe przy sterowaniu maszynami, sprzęt wojskowy, komunikacyjny, przetwarzanie istotnych danych w czasie rzeczywistym, aparatura medyczny, czy też komponenty w samochodach, itp. Sprzętowy blok realizujący funkcje ECC wykonuje swoje zadanie w locie, bez ingerencji użytkownika, dbając o poprawność danych nieustannie. Błędy lekkie, wywołane promieniowaniem tła, są niemalże całkowicie wyeliminowane (SER na poziomie 0.1 FIT/Mb, gdzie 1 FIT = 1 błąd na miliard operacji). Komponenty te są kompatybilne ze swoimi starszymi odpowiednikami tej rodziny, co pozwolić ma na prostszą implementację, poprawiając niezawodność istniejących już aplikacji, bądź ich nowszych wersji, bez konieczności przeprojektowywania płytki. Nowe kości dostępne będą w trzech opcjach: Fast, MoBL i Fast + PowerSnooze (dodatkowy tryb uśpienia, pozwalający na znaczną redukcję zużycia energii; do 15 uA). Każda z opcji z kolei dostępna ma być w konfiguracji x8 i x16. Dostępne są komponenty mogące pracować w standardowym już zakresie temperaturowym, jak i rozszerzonym (motoryzacyjnym). Znaleźć je będzie można w obudowach: 32-pin SOIC, 32-pin TSOP II, 36-pin SOJ, 44-pin SOJ, 44-pin TSOP II oraz 48-ball VFBG.

reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
March 21 2024 08:48 V22.4.9-2
reklama
reklama