reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 16 kwietnia 2015

Pamięci flash 3D o pojemności 128 Gb

Nowe kości pamięciowe od Toshiby wykorzystują najnowsza technologię układania komórek pamięciowych w wielowarstwowe struktury 3D, pozwalające na osiąganie dużo większej gęstości niż klasyczne pamięci NAND.
Firma Toshiba przedstawiła pierwsze takie kości pamięciowe Flash wykonane z 48 warstw ułożonych w strukturę 3D. Technologia ta została oznaczona jako BiCS. Na pojedynczą komórkę pamięciową przypadają 2 bity.

Sumaryczna pojemność tych kości wynosić ma 128 Gb (16 GB). Producent zapewnia o wysokiej niezawodności swoich pamięci i zwiększonej ilości cykli zapisu i odczytu. Poprawiono też czas zapisu, sprawiając, że kości te będą się bardzo dobrze nadawać do nowoczesnych dysków twardych SSD.

Pionowe ułożenie komórek pamięciowych pozwala na znaczne zwiększenie gęstości w porównaniu do ułożenia klasycznego w jednej warstwie (NAND). Technologia ta została wprowadzona na rynek po raz pierwszy w 2007 roku, a omawiane układy stanowią dowód na spory postęp od tamtego czasu.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-1