reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 13 kwietnia 2015

Wszechstronny i bardzo wytrzymały sterownik bramek tranzystorowych

Nowe sterowniki bramek różnych tranzystorów pozwalają na większą elastyczność w ich stosowaniu dzięki wysokiej niezawodności i wytrzymałości na temperatury nawet 225 stopni Celsjusza. Aplikacje staną się dzięki temu też efektywniejsze.
Firma CISSOID wprowadziła na rynek drugą generację swoich układów HADES. Są to izolowane sterowniki bramek przeznaczone do pracy w aplikacjach o wysokiej gęstości energii, jak konwertery energii, sterowniki silników, itp.

Pracować mogą z tranzystorami z węglika krzemu (SiC), klasycznymi układami MOSFET oraz IGBT. Nowa wersja układów HADES wprowadza wysoką niezawodność podczas pracy w najtrudniejszych warunkach. Zamknięte w specjalnych obudowach są w stanie bezproblemowo pracować w temperaturze do nawet 225 stopni Celsjusza. Mowa tu o obudowach ceramicznych QFP-32.

Dostępna jest także obudowa standardowa, plastikowa QFP-44, przeznaczona do pracy w aplikacjach gdzie liczy się żywotność, a temperatura pracy nie przekracza 175 stopni Celsjusza. Układy te oferują wszelkie funkcje do sterowania różnymi bramkami w izolowanym pół-mostku pracującym przy wysokim napięciu.

Całość składa się tak naprawdę z trzech elementów, jak czytamy w notatce producenta. HADES2P odpowiadają za stronę pierwotną, HADES2S to elementy strony wtórnej. ELARA to komponenty specjalnego zestawu diod.

Pierwszy element integruje w sobie kontroler fly-back pracujący w trybie prądowym ze zintegrowanym przełącznikiem o rezystancji 0.8 Ω, jak również konfigurowalne zabezpieczenia (UVLO). Jest tu także czterokanałowy transceiver z izolacją dla realizacji funkcji PWM, itp.
HADES2S zawiera w sobie driver o wydajności 12 A, zabezpieczenia konfigurowalne UVLO i termiczne OTP, jak również wykrywanie błędów, itp. Jest tu również transceiver 2-kanałowy.

Wysoka wytrzymałość układów HADESv2 pozwala na większą elastyczność w kwestii ich umiejscowienia w urządzeniu, nawet stosunkowo blisko silnych źródeł ciepła, bliżej tranzystorów co pozwolić ma na redukcję zjawisk pasożytniczych w przewodach, itp. Zmniejszyć ma też to wymagania jak i wielkość aplikacji, a także możliwe ma być dzięki temu zwiększenie częstotliwości przełączania, jak podaje producent.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
November 29 2016 16:13 V7.6.2-1