IGBT na 650 V ze zredukowanymi stratami przełączania

Firma Infineon Technologies przedstawiła nowe tranzystory IGBT, które cechować się mają bardzo niskim napięciem nasycenia (Vce(sat)), co przekładać się ma na niskie straty przy przełączaniu, zwłaszcza w zakresie pracy od 50 Hz do 20 kHz. Napięcie przebicia nowych tranzystorów wynosi około 650 V. Nowa rodzina L5 oparta została na technologii TrenchStop 5. Zaprojektowane zostały z myślą o zastosowaniu w falownikach, systemach podtrzymania zasilania (UPS), itp. Napięcie Vce(sat) wynosi w 25 stopniach Celsjusza tylko 1.05 V. W porównaniu do poprzedników udało się uzyskać poprawę wydajności, choć niewielką jak przyznaje producent. Straty przy przełączaniu są teraz jednak jeszcze mniejsze i wynoszą 1.6 mJ przy 25 stopniach Celsjusza, podczas normalnej pracy. Sprzyjają temu też bardzo małe straty przy przewodności. Pierwsze komponenty dostać będzie można w obudowie TO-247 3-pin. Wkrótce pojawią się też inne wersje, w tym TO-247 z czterema wyprowadzeniami (Kelvin-Emitter), co ma wprowadzić kolejne, dodatkowe obniżenie strat przełączania, nawet o 20%. Dostępne mają być komponenty pracujące z prądem o natężeniu do 75 A.