reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
reklama
© Evertiq Komponenty | 10 lutego 2015

NexFET w mniejszym opakowaniu i z niższą rezystancją

Tranzystory od TI cechuje jeszcze niższa wartość Rds(ON). Pozwoliło to zwiększyć efektywność i zmniejszyć obudowę w której je zamknięto. Specjalną serię zamknięto w obudowie 0.6 na 1 mm.
Firma TI przedstawiła nowe tranzystory MOSFET z rodziny NexFET, cechujące się obniżoną rezystancją Rds(ON). Są to tranzystory z kanałem typu N przeznaczone do pracy z napięciem 25 i 30 V.

Komponenty oznaczono symbolem CSD16570Q5B i CSD17570Q5B odpowiednio. Dzięki niskiej wartości Rds(ON), która wynosić ma 0.59 i 0.69 mΩ, udało się osiągnąć wysoką wydajność i zapakować komponenty w niewielką obudowę QFN o wymiarach 5 na 6 mm.

Przeznaczone są do pracy w zasilaczach, aplikacjach typu hot-swap, ORing, itp. Mogą wydajnie współpracować z takimi elementami jak LM27403 i TPS24720. Aplikacyjna nota „Robust Hot Swap Designs” opisuje wybór tranzystorów. Te tutaj opisane bardzo dobrze pasują do takich aplikacji. Można się o tym przekonać za pomocą układu referencyjnego CSD17570Q5B.

Ceny zaczynać się mają od 1.08 USD przy zamówieniach hurtowych. W ofercie są też tranzystory FemtoFET, na napięcie 12 V w mniejszych obudowach (0.6 na 1 mm). Rezystancja ich jest mniejsza o nawet 84% w porównaniu do konkurencyjnych komponentów tego typu, jak podaje producent. Cena tych tranzystorów rozpoczynać się ma już od 0.10 USD.

Komentarze

Zauważ proszę, że komentarze krytyczne są jak najbardziej pożądane, zachęcamy do ich zamieszczania i dalszej dyskusji. Jednak komentarze obraźliwe, rasistowskie czy homofobiczne nie są przez nas akceptowane. Tego typu komentarze będą przez nas usuwane.
reklama
reklama
Załaduj więcej newsów
April 17 2018 19:38 V9.3.2-1